广州磨具磨料价格联盟

6英寸碳化硅单晶衬底研制成功

tanshiji0102020-07-04 09:37:20

【新朋友】点击上方“碳世纪”即可一键关注

【老朋友】点击右上角分享到朋友圈——为碳世纪加油!

近日,中国科学院物理研究所北京凝聚态物理国家实验室(筹)先进材料与结构分析实验室团队人员与北京天科合达蓝光半导体有限公司合作,成功研制出了6英寸碳化硅(SiC)单晶衬底。

据悉,碳化硅属于第三代半导体材料,是制造高亮度LED、电力电子功率器件以及射频微波器件的理想衬底。

上图 科研人员在测量6英寸碳化硅单晶衬底的尺寸(129日摄)。

下图 中国科学院物理研究所陈小龙研究员在一幅演示碳化硅物理原理的图表前展示6英寸碳化硅单晶衬底(1217摄)。


“如果您有兴趣了解更多石墨烯与先进碳行业的资讯,请关注微信公众账号:碳世纪,如果您举得文章有价值,欢迎分享至朋友圈,推荐身边的朋友关注,谢谢!”


友情链接